Исследование деградационных процессов в ИС операционных усилителей при подгонке тонкопленочных резисторов
Опубликовано в выпуске:
1/2019 (23)
, 02.04.2019
Определены режимы подгонки тонкопленочных резисторов в ИС операционных усилителей не приводящие к последующей деградации интегральной микросхемы. Установлены факторы, влияющие на деградацию тонкопленочных резисторов и диэлектрической пленки, находящейся под ними при лазерном выжигании части резистивной пленки. Найдены режимы лазерной подгонки, позволяющие получить заданные параметры операционного усилителя не вызывающие деградационных процессов в элементах ИС.
eLIBRARY.RU Наше издание в Научной Электронной Библиотеке eLIBRARY.RU
Публикационная активность журнала РИНЦ
Справочник по УДК Ресурс описывает универсальную десятичную классификацию (УДК)
Антиплагиат Система автоматической проверки текстов на наличие заимствований
МГТУ имени Н. Э. Баумана официальный сайт университета