Статья

В данной работе разработана модель изменения зарядового состояния МДП-структур, находящихся в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик постоянным током при воздействии ионизирующих облучений, учитывающая взаимодействие инжектированных электронов с дырками, возникающими как в результате сильнополевой межзонной ударной ионизации в пленке SiO2, так и в процессе радиационной ионизации. Проведено моделирование изменения зарядового состояния МДП-структур с термическими пленками диоксида кремния при воздействии радиационных излучений.