ЗАВИСИМОСТЬ СТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ОТ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЕ
Опубликовано в выпуске:
3/2017 (14)
, 29.10.2017
Представлено исследование влияния дефектов линий скольжения и дефектов упаковки кристаллической структуры кремния на стабильность параметров микросхем. Определены оптимальные режимы химического травления для выявления дефектов. Проведен замер напряжение смещения нуля (Uсм0) на микросхемах, изготовленных из краевых кристаллов, а затем - из центральных. Анализ полученных данных позволяет полагать, что линии скольжения и дефекты упаковки влияют на напряжение смещения нуля.
eLIBRARY.RU Наше издание в Научной Электронной Библиотеке eLIBRARY.RU
Публикационная активность журнала РИНЦ
Справочник по УДК Ресурс описывает универсальную десятичную классификацию (УДК)
Антиплагиат Система автоматической проверки текстов на наличие заимствований
МГТУ имени Н. Э. Баумана официальный сайт университета