Статья

В статье приведены результаты анализа и обсуждение литературных данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков мультикристаллического кремния (mc-Si). Рассмотрены положительные и отрицательные аспекты влияния эффекта компенсации на фундаментальные электрофизические свойства кремния и фотопреобразователей на его основе. Описан метод тройного легирования слитков мультикремния бором, фосфором и галлием. Такое сочетание легирующих примесей дает возможность исключить инверсию типа проводимости и добиться требуемого профиля удельного электрического сопротивления по длине слитка мультикремния.