Статья

Производство качественных фотопреобразователей предъявляет высокие требования к содержанию фоновых примесей в слитках мультикристаллического кремния (mc-Si) и, в частности, к поиску эффективных методов контроля и регулирования содержания кислорода. В статье описаны основные процессы генерации и удаления кислорода из расплава кремния, а также технологические методы, позволяющие уменьшить содержание кислорода при направленной кристаллизации. Проведен анализ экспериментальных данных по содержанию кислорода в слитках mc-Si, полученных в различных технологических режимах. По результатам измерений рассчитаны начальные концентрации кислорода в расплаве кремния и коэффициенты, учитывающие испарение кислорода при росте слитков.